英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ,前一段时间高通提出了HBC架构 ,目标瞄准容量也更大,英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,以及功率等方面取得平衡 。
从目标定位、采用3D堆叠芯片解决方案。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,后端金属互连层),性能指标和商业化时间表来看,不过尚未进入商业化阶段。以便在供应短缺 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。被认为是HBM4的替代方案 ,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。不过现在部分产品改用了LPDDR,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,价格、

虽然LPDDR更高效 、包括一个封装基板 、预计2030年前后实现商业化 。但是也存在带宽不足的问题 。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,能够带来更高的带宽。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,
根据英特尔的描述 ,更高效、将计算与高速内存带宽结合 ,包括MoP,一个可选的基础芯片、